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AOI2N60A-VB一种Single-N沟道TO251封装MOS管
2024-12-05
### 产品简介：AOI2N60A-VB
AOI2N60A-VB是一款单路N沟道场效应管（MOSFET），采用Plannar技术制造，具有高耐压能力和适中的电流承载能力，适合于中高压电子应用。
### 参数说明：
- **型号：** AOI2N60A-VB
- **封装：** TO251
- **通道类型：** 单N沟道
- **漏极-源极电压（VDS）：** 650V
- **栅极-源极电压（VGS）：** ±30V
- **阈值电压（Vth）：** 3.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）：** 4300mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）：** 2A
- **技术：** Plannar
### 应用示例：
1. **电源开关：** AOI2N60A-VB适用于中高压电源开关，如工业电源和电力设备中的主动开关器件，用以实现高效率的电能转换和控制。
2. **照明电源：** 在需要高电压输出的LED照明电源中，AOI2N60A-VB可以作为开关电源的关键部件，帮助提升照明系统的能效和稳定性。
3. **电动汽车充电桩：** 在电动汽车充电桩中，AOI2N60A-VB可用于电力电子变换器和充电控制单元，支持高电压直流输入和稳定的电流输出，确保充电效率和安全性。
4. **工业控制设备：** 在需要稳定高压输出的工业控制设备中，AOI2N60A-VB可以用作电源管理和电流控制器，确保设备长期稳定运行并优化能效。
这些应用示例展示了AOI2N60A-VB在中高压电子设备和系统中的广泛应用，其特性使其成为处理高电压和高功率需求的理想选择。
