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B20NK50Z-VB一种Single-N沟道TO263封装MOS管
2025-01-06
**产品简介**
B20NK50Z-VB是一款高电压、高性能的单N通道场效应晶体管（MOSFET），采用TO-263封装和SJ_Multi-EPI技术。此器件设计用于高电压应用，能够处理高达650V的漏源电压，同时具有20A的最大漏电流。其低导通电阻和高耐压性能使其在高功率和高电压条件下表现出色。
**详细参数说明**
- **型号**：B20NK50Z-VB
- **封装**：TO-263
- **配置**：单N通道
- **最大漏源电压 (V_DS)**：650V
- **最大栅源电压 (V_GS)**：±30V
- **阈值电压 (V_th)**：3.5V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**：160mΩ@V_GS=10V
- **最大漏电流 (I_D)**：20A
- **技术**：SJ_Multi-EPI工艺
**应用领域和模块**
1. **高压电源转换器**：B20NK50Z-VB适用于高电压DC-DC转换器和AC-DC电源供应系统，能够有效处理高电压和高功率负载，提高系统的效率和稳定性。
2. **电力逆变器**：在电力逆变器应用中，此MOSFET能处理650V的高电压，适合用于太阳能逆变器和风能逆变器，提升转换效率和可靠性。
3. **工业电源管理**：用于工业设备中的电源管理系统，提供高电压耐受能力和稳定的开关性能，尤其适合要求高电压处理的场合。
4. **电动汽车充电系统**：在电动汽车的充电系统中，该MOSFET能够处理高电压输入，保证充电过程的安全性和高效性。
