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AP04N20GK-HF-VB一种SOT223封装Single-N-Channel场效应管
2024-12-10
### AP04N20GK-HF-VB 产品简介
AP04N20GK-HF-VB是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，封装在SOT223中。该器件设计用于中压应用，具有较高的额定漏源电压和适中的导通电阻，适合要求中压和低电流的应用场合。
### 详细参数说明
- **封装类型**: SOT223
- **配置**: 单N沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 200V
- **最大栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **栅阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 1200mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 1A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块示例
1. **电源管理**：
- **应用场景**: 在低功率电源管理电路中，例如电源开关和稳压器。
- **示例**: 便携式设备如智能手机和平板电脑的电源管理模块。
2. **电池保护**：
- **应用场景**: 用于锂电池保护电路中，控制充放电和保护电池安全。
- **示例**: 电动工具、电动车辆或便携式电子设备的电池管理系统。
3. **DC-DC转换器**：
- **应用场景**: 适用于中压DC-DC转换器中的开关控制。
- **示例**: 工业控制系统或通信设备中的DC-DC转换器模块。
4. **照明驱动**：
- **应用场景**: 在LED驱动电路中，需要控制中等电流和中压电源。
- **示例**: 室内和商业照明系统中的LED驱动器。
AP04N20GK-HF-VB适用于多种中压和低电流的应用场合，其Trench技术确保了在这些场景下的高效性和可靠性。
