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BSO080P03NS3E G-VB一种SOP8封装Single-P-Channel场效应管
2025-01-09
### 产品简介
**BSO080P03NS3E G-VB** 是一款高性能单 P-Channel MOSFET，封装形式为 SOP8。该 MOSFET 采用 Trench 技术，具备低导通电阻和较高的漏电流承载能力，专为高功率开关和电源管理应用设计。其高电流处理能力和低导通电阻使其非常适合于需要高效和稳定性的电子设备。
### 详细参数说明
- **封装**: SOP8
- **配置**: 单 P-Channel
- **漏源电压 (V_DS)**: -30V
- **栅源电压 (V_GS)**: ±20V
- **阈值电压 (V_th)**: -3V
- **导通电阻 (R_DS(on))**:
- 8mΩ @ V_GS = 4.5V
- 5mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏电流 (I_D)**: -18A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
1. **高效开关电源**: BSO080P03NS3E G-VB 适用于高效开关电源中，作为开关元件使用，能够显著提高电源效率和稳定性。
2. **电源管理**: 在电源管理系统中，该 MOSFET 能够有效地控制电流并调节电源，适合用于电池管理系统和功率调节模块。
3. **电机驱动**: 适用于电机控制电路中，提供高效的电流开关和稳定性，适合高功率电机应用。
4. **消费电子**: 用于高性能消费电子产品中，例如计算机主板和家用电器，作为开关元件提高系统的整体效率和可靠性。
