AUIRL1404ZSTRL-VB一种Single-N沟道TO263封装MOS管
2025-01-04
### AUIRL1404ZSTRL-VB 产品简介
AUIRL1404ZSTRL-VB是一款高性能单N沟道功率MOSFET，采用TO263封装，专为高效能和低功耗应用设计。该MOSFET使用Trench技术制造，提供卓越的开关性能和极低的导通电阻。其漏源电压（VDS）最大为40V，栅源电压（VGS）最大可达±20V。AUIRL1404ZSTRL-VB的导通电阻在VGS为10V时为仅2毫欧姆，在处理最大150A的漏极电流时，仍能保持极低的功耗和发热。这些特性使其在各种高功率电子应用中表现出色。
### AUIRL1404ZSTRL-VB 详细参数说明
| 参数 | 值 | 备注 |
|------------|------------|-----------------------|
| 封装类型 | TO263 | 标准封装形式 |
| 配置 | 单N沟道 | 单个N沟道MOSFET |
| VDS | 40V | 漏源电压 |
| VGS | ±20V | 栅源电压 |
| Vth | 3V | 栅极阈值电压 |
| RDS(ON) | 2.5mΩ@VGS=4.5V | 导通电阻 |
| RDS(ON) | 2mΩ@VGS=10V | 导通电阻 |
| ID | 150A | 连续漏极电流 |
| 技术 | Trench | 沟槽型MOSFET技术 |
### 应用领域和模块举例
AUIRL1404ZSTRL-VB的高性能特性使其在多个领域中具有广泛的应用：
1. **电源管理系统**：
- **开关电源**：在开关电源（SMPS）中，AUIRL1404ZSTRL-VB作为开关管使用，其极低的导通电阻和高电流能力可以有效降低开关损耗，提高电源转换效率。
- **DC-DC转换器**：在高功率DC-DC转换器中，MOSFET的低导通电阻能减少功耗，提高系统的整体效率，适合高性能电源解决方案。
2. **汽车电子**：
- **电动汽车驱动系统**：在电动汽车的电机控制模块中，AUIRL1404ZSTRL-VB能够驱动高电流负载，其高电流承载能力和低导通电阻确保了电动汽车系统的高效性和稳定性。
- **汽车电池管理系统**：在电池管理系统中，MOSFET的低导通电阻可以减少功耗，提高系统的效率和可靠性。
3. **工业自动化**：
- **电机驱动**：在工业电机驱动系统中，AUIRL1404ZSTRL-VB的高电流处理能力和低导通电阻使其能够稳定驱动大型电机，适用于高功率负载的控制。
- **高功率继电器驱动**：用于驱动高功率继电器时，MOSFET能够提供可靠的性能和高效的控制。
4. **消费电子**：
- **高效能电源模块**：在计算机和服务器的电源模块中，AUIRL1404ZSTRL-VB能够有效地处理大电流，提供稳定的电源供应，提高系统的稳定性和效率。
- **音频放大器**：在音频功率放大器中，该MOSFET的低导通电阻和高电流能力能有效地处理高功率音频信号，提供高品质的音频输出。
AUIRL1404ZSTRL-VB凭借其优异的电气性能和广泛的应用适用性，是高功率电子设备中的重要组件。
