深圳市微碧半导体有限公司

### 一、产品简介

BSC094N03S G-VB是一款高性能单N沟道MOSFET，采用DFN8(5X6)封装，专为需要低导通电阻和高电流处理能力的应用设计。它使用Trench技术，具备高效的开关性能和稳定的电流控制，广泛应用于电源管理、负载开关和功率转换等领域。

### 二、详细参数说明

- **型号**：BSC094N03S G-VB

- **封装**：DFN8(5X6)

- **配置**：单N沟道

- **漏源极电压（VDS）**：30V

- **栅源极电压（VGS）**：±20V

- **阈值电压（Vth）**：1.7V

- **导通电阻（RDS(ON)）**：

  - 9mΩ（@VGS=4.5V）

  - 7mΩ（@VGS=10V）

- **漏极电流（ID）**：80A

- **技术**：Trench（沟槽技术）

BSC094N03S G-VB.pdf

### 三、应用领域和模块

BSC094N03S G-VB MOSFET因其低导通电阻和高电流能力，在多个领域和模块中表现优异。以下是一些具体应用的示例：

1. **电源开关**：

   在电源开关应用中，BSC094N03S G-VB MOSFET能够提供低导通电阻和高电流处理能力，适用于电源开关电路和DC-DC转换器。其低RDS(ON)特性有助于减少功率损耗，提高电源的效率和稳定性。

2. **电动汽车电池管理**：

   在电动汽车电池管理系统中，该MOSFET能够处理高电流负载，提供稳定的电流控制和电池保护功能。其高电流能力和低导通电阻确保了电池系统的高效、安全运行。

3. **高功率LED驱动**：

   在高功率LED照明系统中，BSC094N03S G-VB用于LED驱动和开关控制。其低导通电阻有助于减少功耗，提升LED的亮度和寿命，适用于高效能的LED照明解决方案。

4. **工业电机控制**：

   在工业电机驱动系统中，该MOSFET可以用于电机的启动、运行和停止控制。其高电流处理能力和低RDS(ON)确保了电机驱动系统的高效性和可靠性，适合用于各种工业电机控制应用。

5. **消费电子设备**：

   BSC094N03S G-VB也适用于消费电子设备中的电源管理模块，例如智能手机和笔记本电脑。它能够提供高效的电源开关和电流控制，提升设备的性能和电池寿命。

这些应用示例展示了BSC094N03S G-VB MOSFET在高电流和高效能应用中的广泛适用性和重要性。