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B296L-VB一种TO263封装Single-N-Channel场效应管
2025-01-07
### 产品简介
**B296L-VB** 是一款单极N沟道MOSFET，封装形式为TO263。采用Trench技术，具有较低的导通电阻和高电流承载能力。这款MOSFET专为需要高电压和高电流的应用设计，能够在中等电压下提供可靠的性能，适合用于各种高功率电力电子系统。
### 参数说明
- **型号**：B296L-VB
- **封装**：TO263
- **配置**：单极N沟道
- **漏源电压 (VDS)**：100V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 23mΩ @ VGS=4.5V
- 10mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流 (ID)**：100A
- **技术**：Trench
### 适用领域和模块
**B296L-VB** MOSFET 在以下领域和模块中表现优异：
1. **开关电源**：其较低的导通电阻和高电流处理能力使其非常适合用于高效开关电源中，提高电源转换效率并减少能量损失。
2. **DC-DC转换器**：在DC-DC转换器应用中，此MOSFET 能够处理较高的电流负载，确保稳定高效的电源转换。
3. **电机驱动系统**：适用于电机驱动应用，能够在中等电压下提供稳定的开关性能，提高电机系统的整体效率。
4. **LED驱动**：在LED驱动电路中，B296L-VB 提供可靠的电流输出，适用于中高功率LED的驱动需求。
5. **电源管理系统**：在电源管理系统中，该MOSFET 可用于中等电压负载的开关和调节，提升系统的稳定性和性能。
