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2SJ327-Z-E1-AZ-VB一款P沟道TO252封装MOSFET应用分析
2024-01-05
2SJ327-Z-E1-AZ (VBE2610N)参数说明：P沟道，-60V，-38A，导通电阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。
应用简介：2SJ327-Z-E1-AZ是一款适用于功率开关和逆变器等应用的P沟道MOSFET。
由于其能够处理较大的电流和电压，常用于电源管理、电机控制和逆变器等领域模块。
