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AP18T10GP-HF-VB一种TO220封装Single-N-Channel场效应管
2024-12-12
### 1. 产品简介
AP18T10GP-HF-VB 是一款单 N-沟道功率场效应管（Power MOSFET），采用Trench工艺制造。该器件适用于高性能功率开关和电源管理应用，具有100V的漏极-源极电压（VDS）额定值和最大18A的漏极电流（ID）容量。
### 2. 参数说明
- **型号**: AP18T10GP-HF-VB
- **封装**: TO220
- **通道类型**: 单 N-沟道
- **VDS (漏极-源极电压)**: 100V
- **VGS (栅极-源极电压)**: ±20V
- **Vth (阈值电压)**: 1.8V
- **RDS(ON) (导通电阻)**:
- 127mΩ @ VGS = 10V
- **ID (漏极电流)**: 18A
- **技术**: Trench
### 3. 应用示例
AP18T10GP-HF-VB 可适用于以下领域和模块：
- **电源管理**: 由于其高漏极电流容量和低导通电阻特性，适合用作电源开关和电源管理系统中的关键组件，特别是在需要处理中等电压和大电流的应用中。
- **电动工具**: 在电动工具和家用电器中，可用于电机驱动器和电源开关，以支持高功率和高效率的电动工具操作。
- **电动车辆**: 在电动车辆中，可用于电池管理系统和电动马达驱动，确保高效能和可靠的电动车辆性能。
- **工业控制**: 用于工业设备和控制系统中的功率开关和逆变器，以提供可靠的功率控制和管理。
AP18T10GP-HF-VB 的高性能特性和可靠性使其在多个应用场景中成为首选，特别是需要处理中等电压和大电流的功率转换和控制领域。
