BUK6610-75C-VB一种Single-N沟道TO263封装MOS管
2025-01-15
### 一、BUK6610-75C-VB 产品简介
BUK6610-75C-VB 是 NXP Semiconductors 提供的一款高性能单 N 沟道 MOSFET，封装形式为 TO-263。这款 MOSFET 采用先进的 Trench 技术，具有 80V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压 (VGS) 规格。在 4.5V 的栅源电压下，其导通电阻为 10mΩ，而在 10V 的栅源电压下，导通电阻进一步降低至 6mΩ。BUK6610-75C-VB 支持高达 120A 的连续漏极电流 (ID)，适用于需要高电流和低导通损耗的应用场景。其优秀的开关性能和低功耗特性使其在电源管理、功率转换和电动机驱动等领域表现卓越。
### 二、BUK6610-75C-VB 详细参数说明
| 参数 | 值 | 单位 |
|------------------------|--------------------------|--------|
| 产品型号 | BUK6610-75C-VB | |
| 封装 | TO-263 | |
| 配置 | 单 N 沟道 | |
| 漏源电压 (VDS) | 80 | V |
| 栅源电压 (VGS) | ±20 | V |
| 阈值电压 (Vth) | 3 | V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 10 (VGS = 4.5V) | mΩ |
| | 6 (VGS = 10V) | mΩ |
| 栅极电流 (IG) | 100 | nA |
| 连续漏极电流 (ID) | 120 | A |
| 瞬时脉冲漏极电流 (ID(pulse)) | 240 | A |
| 最大功耗 (Ptot) | 200 | W |
| 工作温度范围 | -55 至 +175 | °C |
| 存储温度范围 | -55 至 +175 | °C |
| 技术 | Trench | |
### 三、应用领域和模块示例
BUK6610-75C-VB 的高电流处理能力和低导通电阻使其在多个领域和应用中表现出色，以下是几个具体的应用示例：
1. **电源管理**：在高功率开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中，BUK6610-75C-VB 能够作为高效的开关元件，具有低导通电阻，可以显著降低能量损耗，提高电源转换效率。这种特性在高效电源供应和电源优化中尤为重要。
2. **电动机驱动**：由于其能够处理高电流负载，这款 MOSFET 适用于电动汽车、电动工具以及工业电动机驱动系统。它能够实现高效的电机控制、调速以及启动/停止控制，满足对高电流和高可靠性的要求。
3. **功率转换系统**：在工业功率转换器和逆变器中，BUK6610-75C-VB 可以处理大电流负载，确保系统的稳定性和可靠性。它广泛应用于太阳能逆变器和不间断电源 (UPS) 中，保证功率转换的效率和稳定性。
4. **电池管理系统**：在电池管理系统 (BMS) 中，BUK6610-75C-VB 能够处理高电流负载，提供过流保护和电池开关功能。它可以有效提升电池系统的安全性、可靠性和性能，确保在各种工作条件下的稳定运行。
这些应用示例展示了 BUK6610-75C-VB 在高电流处理、低导通损耗和高效开关的场景中的重要作用。
