公司动态详情返回动态列表>
BST82-VB一种Single-N沟道SOT23-3封装MOS管
2025-01-10
### 产品简介
BST82-VB是一款高电压单管N沟道MOSFET，封装形式为SOT23-3。该MOSFET设计用于处理高电压应用，具有100V的漏极-源极耐压和±20V的栅极-源极耐压，门槛电压为1.5V。其Trench技术使其在高电压场合中保持稳定性，虽然导通电阻相对较高，但它在特定应用中表现良好。
### 参数说明
- **型号**: BST82-VB
- **封装**: SOT23-3
- **配置**: 单管N沟道
- **漏极-源极耐压 (VDS)**: 100V
- **栅极-源极耐压 (VGS)**: ±20V
- **门槛电压 (Vth)**: 1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 4.5V栅极驱动下: 3000mΩ
- 10V栅极驱动下: 2800mΩ
- **漏极电流 (ID)**: 0.26A
- **技术**: Trench技术
### 应用领域
BST82-VB适用于以下领域和模块：
1. **高电压开关**: 由于其高达100V的耐压，适用于高电压开关应用，如电源开关和高电压控制电路。
2. **电源保护**: 在电源保护电路中作为高电压开关，提供电流切换和电压保护功能。
3. **信号开关**: 在处理高电压信号的应用中使用，尽管导通电阻较高，但仍适合高电压信号切换。
4. **小功率开关**: 适用于小功率设备中的开关控制，尤其是在需要处理高电压的情况下，如消费电子产品中的开关元件。
该MOSFET的高电压耐受能力使其在需要处理高电压和小功率的应用中表现优异。
