BSC070N10NS3 G-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2025-01-08
### 一、产品简介
**型号：BSC070N10NS3 G-VB**
BSC070N10NS3 G-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用DFN8(5x6)封装。该MOSFET利用先进的Trench技术制造，具有低导通电阻和高电流处理能力，特别适合用于高效能的电源管理和开关应用。BSC070N10NS3 G-VB支持高达100V的漏源电压（VDS）和±20V的栅源电压（VGS），其门槛电压（Vth）范围为1V到3V，确保在较低的栅极电压下能够可靠开启。该MOSFET在4.5V栅极电压下的导通电阻（RDS(ON)）为6mΩ，在10V栅极电压下为5mΩ，能够提供高达100A的连续漏极电流（ID），使其在高电流和高效率的应用中表现优异。
### 二、详细的参数说明
- **型号**: BSC070N10NS3 G-VB
- **封装**: DFN8(5x6)
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压（VDS）**: 100V
- **栅源电压（VGS）**: ±20V
- **门槛电压（Vth）**: 1V ~ 3V
- **导通电阻（RDS(ON)）**:
- @VGS = 4.5V: 6mΩ
- @VGS = 10V: 5mΩ
- **连续漏极电流（ID）**: 100A
- **技术**: Trench
### 三、应用领域和模块举例
**电源开关**：BSC070N10NS3 G-VB因其高电流处理能力和低导通电阻，非常适合用于高效电源开关应用。其低RDS(ON)特性使其能够在DC-DC转换器、高性能电源供应单元和开关电源中显著降低功耗，提高整体系统效率。
**电动汽车**：在电动汽车的电机驱动系统和电池管理系统中，BSC070N10NS3 G-VB的高电流能力和高压承受能力使其能够处理电动汽车中的高电流和高电压需求。其低导通电阻有助于减少能量损耗，提升电动汽车的性能和续航能力。
**工业电源**：该MOSFET适用于高功率工业电源系统，如变频器和工业电源供应单元。BSC070N10NS3 G-VB能够处理高电流负载，保证系统的高效运作和长期稳定性，适合在各种工业电源应用中使用。
**LED驱动器**：在高功率LED照明应用中，BSC070N10NS3 G-VB提供的低导通电阻能够减少功耗和热量，提升LED的工作效率和寿命。这使其成为高亮度LED照明系统和LED驱动模块中的理想选择。
**高压电源管理**：在需要处理高电压和大电流的电源管理系统中，如高压DC-DC转换器和电力逆变器，BSC070N10NS3 G-VB能够提供稳定的电流供应，并在高压条件下保持高效能和可靠性。
