AP9928GEO-VB一种Common Drain-N+N沟道TSSOP8封装MOS管
2024-12-23
### AP9928GEO-VB 产品简介
AP9928GEO-VB 是一款集成了Common Drain架构的双N沟道和N沟道MOSFET，采用先进的Trench工艺制造，封装形式为TSSOP8。它具有低导通电阻、适中的电压和电流特性，适用于多种功率管理和开关控制应用。
### AP9928GEO-VB 详细参数说明
- **封装形式**: TSSOP8
- **配置**: Common Drain-N+N-Channel
- **漏源极电压 (VDS)**: 20V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 32mΩ @ VGS=2.5V
- 22mΩ @ VGS=4.5V
- **漏极电流 (ID)**: 6.6A
- **技术**: Trench
### AP9928GEO-VB 应用领域和模块示例
AP9928GEO-VB 可以广泛应用于以下领域和模块：
1. **电源管理**：适用于低电压和中电压电源的开关控制器，如笔记本电脑和移动设备中的DC-DC转换器。
2. **消费电子**：在智能手机、平板电脑等消费电子产品中，作为功率开关元件，用于电池管理和电源适配。
3. **汽车电子**：用于汽车电子系统中的电动汽车充电控制、动力管理和驱动系统，例如电动车辆中的逆变器和电机驱动控制。
4. **工业自动化**：在工业控制设备和自动化系统中，用于功率开关和电源管理，确保设备的高效运行和稳定性。
5. **通信设备**：在通信基站和网络设备中，用作射频功率放大器的控制开关和功率管理元件，确保通信系统的高效能运行。
AP9928GEO-VB 具有优良的导通特性和可靠性，适合于需要高效能和高功率密度的应用场景，是现代电子设备和系统设计中的理想选择。
