AP3R604GMT-HF-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2024-12-13
### AP3R604GMT-HF-VB 产品简介
AP3R604GMT-HF-VB 是一款高性能单N沟道MOSFET，采用沟槽技术制造，封装在DFN8(5X6)封装中。它具有低导通电阻和高电流处理能力，适用于需要高效能量转换和功率管理的应用。
### AP3R604GMT-HF-VB 详细参数说明
- **封装类型**：DFN8(5X6)
- **配置**：单N沟道
- **击穿电压 (VDS)**：40V
- **栅极-源极电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：2mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：120A
- **技术**：沟槽（Trench）
### AP3R604GMT-HF-VB 应用领域及模块
AP3R604GMT-HF-VB 在高功率和高电流处理应用中具有广泛的适用性，主要用于以下领域和模块：
1. **电动汽车电源模块**：
- 在电动汽车的功率电子模块中，这款MOSFET可以作为直流-直流转换器和电机控制器的关键开关元件。其低导通电阻和高电流能力有助于提高电动汽车的效率和性能。
2. **工业电源**：
- 在需要高效能转换和稳定输出的工业电源系统中，AP3R604GMT-HF-VB 可以作为开关电源的主要元件，支持工业设备和机器的稳定运行。
3. **服务器和数据中心**：
- 在高性能计算和数据处理中心中，这款MOSFET可以用于功率转换和电源管理，确保服务器和网络设备的稳定供电和能效。
4. **电动工具和家电**：
- 在电动工具和家用电器中，AP3R604GMT-HF-VB 可以作为电机驱动电路的关键组成部分，提供高效能的电源控制和管理。
通过其高性能特性和高电流处理能力，AP3R604GMT-HF-VB 成为各种高功率应用中的理想选择，为工程师提供了可靠和高效的解决方案。
