BSC082N10LS G-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2025-01-08
### 产品简介
BSC082N10LS G-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用DFN8(5x6)封装，专为高电流和高电压应用设计。这款MOSFET使用Trench技术，具有出色的低导通电阻和高电流处理能力，能够在高达100V的漏源极电压下稳定工作，并提供最大100A的漏极电流。其低导通电阻使其特别适用于高效能的电源管理和功率开关应用。
### 详细参数说明
- **型号**: BSC082N10LS G-VB
- **封装类型**: DFN8(5x6)
- **配置**: 单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 100V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1~3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 6mΩ @ VGS=4.5V；5mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 100A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块示例
1. **高效DC-DC转换器**：BSC082N10LS G-VB MOSFET非常适合用于高效的DC-DC转换器，能够在高电流和高电压下稳定工作。其低导通电阻有助于提升转换器的整体效率，减少能量损耗。
2. **电源管理模块**：在电源管理系统中，该MOSFET可以有效地处理大电流负载，提供可靠的开关性能。其低导通电阻使其在电源分配、负载开关和电流保护应用中表现优异，确保系统的高效能和稳定性。
3. **电动汽车 (EV) 电池管理**：BSC082N10LS G-VB MOSFET适合用于电动汽车的电池管理系统，能够高效地控制电池的充放电过程。其高电流能力和低导通电阻确保了电池系统的可靠性和性能。
4. **高功率LED驱动器**：在高功率LED驱动器中，BSC082N10LS G-VB MOSFET能够稳定地控制大电流，提高LED的光效和寿命。其低导通电阻减少了功率损耗，提升了驱动器的效率。
5. **开关电源 (SMPS)**：该MOSFET在开关电源模块中表现出色，特别是在要求高电流和高电压的场合。其优异的导通性能和低导通电阻使其适用于高功率开关应用，提升电源系统的整体性能。
BSC082N10LS G-VB凭借其强大的电流承载能力和低导通电阻，在这些高功率应用中展现出了优异的性能，是高效电源管理和功率开关系统中的理想选择。
